“ 三星企业级内存3200系列的32G与64G型号正经历着前所未有的市场变局。2025年以来，从原厂产能调整到下游需求爆发，多重因素交织，让这些内存型号的价格与供需关系成为行业焦点。32G从130美金涨到240美金报价；64G从250美金涨到500多美金报价，市场更出现接近700美金报价；如此高价下，竟依然一片难求。D4缺货高涨的原因到底为何？ 01 供应端：产能收缩下的结构性短缺 ●三星作为内存市场的 “巨擘”，其产能策略的每一次变动都牵动着市场神经。 4月，三星发布EOL通知：计划2025-12全面停产1y/1z nm 8 Gb、16 Gb DDR4颗粒，并关闭华城Line17部分机台。7月修正：HBM3E（12Hi 36 GB）良率仅42 %，低于内部阈值55 %，导致先进制程产能空转；为填补折旧完毕的1z nm机台稼动率，DDR4投片量延长12个月，但wafer分配量仍比2025-Q1减少约35%。8月实际to-pack产出：8Gb颗粒180K wafer/月→110K wafer/月；16Gb（单die）由多晶切割改为2×8Gb stacking，16Gb单die供应趋零。企业级32GB（2Rank×16）与64GB（4Rank ×16）模组所用16Gb颗粒直接受限，导致Rank结构被迫从x8改为x16，进一步抬高模组厂RMA风险，小厂退出供应。这使得其32G与64G的3200系列内存供应陷入紧张。 ●同一时期，美光与SK hynix也在缩减DDR4产能。 SK：5月投片结构中DDR4占18%，8月已降至12%；M16厂新增机台全部用于1cnm DDR5/HBM。16Gb DDR4颗粒仅保留CJR-D车规级，需额外8周burn-in，服务器级64GB RDIMM已停止接单。 美光：6月，标准温度规格DDR4 16Gb颗粒进入EOL，仅保留-40°C~105°C车规级版本；晶圆厂B2（Boen）8月投片40K/月，其中80%转向1β nm LPDDR5X。 企业级模组用16Gb DDR4颗粒供应缺口扩大，美光自有模组厂Crucial把64GB RDIMM优先级调至车规客户，服务器渠道交货周期由6周延长至14-16周。 而台系与大陆厂商短期内难以填补缺口，南亚科8月产出的19nm 8Gb晶圆，90%被用于生产16GB条，32GB与64GB颗粒供给几乎可以忽略；华邦、长鑫仍聚焦4Gb/8Gb消费级，尚未切入服务器ECC用颗粒领域。 02 需求端：刚性需求催生抢购潮 云与互联网领域掀起的服务器采购浪潮，成为推动三星32G与64G 3200系列内存需求的关键力量。 云服务厂商： 阿里、腾讯、字节、AWS-CN等企业Q3 服务器招标总量约420K台，平台锁定Intel Ice Lake-SP或AMD Milan，主板设计2022-2023完成，无法切换DDR5。 其中单机内存配置：64GB RDIMM占74%，32GB占26%。 通信与边缘计算：5G BBU vDU系统生命周期2026-2027，Intel Xeon D-2700平台仅支持DDR4-3200。32GB条需求约300K/年，但原厂已无对应8Gb/16Gb颗粒配额，缺口持续扩大。 金融与 HFT：低延迟服务器仍使用DDR4-3200 CL22规格，32 GB×8配置，2025-Q4订单已排至2026-Q1。 03 价格驱动：多重因素推高内存成本 当前市场的供需缺口十分明显，预计2025年第四季度，全球服务器DDR4需求达110M Gb，而供应仅为82M Gb，缺口高达25%。 同时，主流服务器主板QVL锁定1ynm/1znm颗粒，更换颗粒需500-1000小时验证，形成了极高的认证壁垒，限制了其他替代品进入市场。 虽然DDR5-4800 64G RDIMM现价更加便宜，但由于平台不兼容，无法平抑DDR4价格。 04 未来预测：价格波动中的市场转折 2025年第四季度，企业级 32GB/64GB DDR4-3200 RDIMM仍将处于供应缺口期，价格有进一步上涨空间。 2026年起，DDR4退出市场已成定局，价格虽将逐步回落，但受认证锁定与长尾需求制约，回落节奏存在不确定性。 对于必须在2025-2026年交付的Ice Lake/Milan服务器项目，现阶段锁定32GB/64GB DDR4物料是唯一可行的选择。 在这场内存市场的变局中，企业唯有精准把握市场动态，才能在存储需求的浪潮中站稳脚跟。

车规级多路电源管理芯片 SA47301 / SA47321 获得 ISO 26262 ASIL D认证 2025年8月17日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS正式为矽力杰多通道电源管理芯片SA47301/SA47321颁发ISO 26262: 2018 ASIL D产品认证证书。这是国内首颗获得国际权威机构认证的ASIL D等级多通道电源管理芯片。 矽力杰SA47301/SA47321系列电源管理芯片自面世以来，凭借其出色的性能，全面的适配性以及稳定可靠的质量，受到了广大客户的欢迎，先后在超过四十家客户完成了板级设计与验证，在超过十家客户的不同应用场景中完成了DV验证，获得了众多客户的一致好评。 SA47301/SA47321系列芯片通过了严格的AEC-Q100可靠性认证，在电子助力转向系统（EPS），电子驻车（EPB），变速箱控制单元（TCU），主动悬架，车载充电器（OBC），电池管理系统（BMS），高级驾驶辅助系统（ADAS），整车控制器（VCU），域控制器（ZCU）等多类型产品中成为了国产化替代的首选。 SA47301/SA47321 ◆ 输入电压: 3V ~ 40V ◆ 前级升压，降压稳压器 ◆ 微处理器电源，Core电源 (仅SA47321)，CAN电源，高精度电压基准电源，电压跟随LDO，待机LDO ◆ 可配置的问答式和窗口式看门狗 ◆ 为外部电源模块提供频率同步信号和电压监测功能 ◆ 独立内部电压监测模块 ◆ 独立输出复位和中断信号 ◆ 可编程延迟时间两个安全状态输出 ◆ 功能安全符合ISO26262 ASIL-D ◆ 16位SPI通信接口 ◆ 输入过压保护 ◆ 超长时间计时器（LDT） ◆ 微处理器错误信号监测 ◆ 支持多个唤醒源 ◆ 封装: QFN7×7-48 关于SGS SGS是国际公认的测试、检验和认证机构。其99,500名专业员工分布在115个国家及地区的2,500多个分支机构和实验室，构建起全球化服务网络。凭借超过145年的卓越经验和瑞士公司特有的精准度，帮助企业达到质量、合规与可持续发展的最高标准。发展至今，SGS业务包含互联与产品、工业与环境、营养与健康、自然资源、管理与保证五大战略版图。 关于矽力杰 矽力杰成立于2008年，坚持自主创新，布局全球，做模拟芯片行业的技术领跑者，在汽车远程通讯单元T-Box系统，汽车信息娱乐系统，智能座舱系统，BMS电池管理系统，车身，接口区域控制系统，及高压应用Traction/OCB/DC-DC均有完整的芯片解决方案。汽车芯片全面覆盖电源管理，电池管理，功率器件，LED驱动，马达驱动，光传感，音频功放，放大器，MCU等模拟芯片及信号链解决方案。 矽力杰致力于为您提供全球最优的芯片解决方案， 更多方案，敬请持续关注。 矽力杰官网： https://www.silergy.com 地址： 杭州市滨江区联慧街6号矽力杰大厦 联系电话： +86-571-87759971

中国上海，2025年6月3日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了更宽SOA范围*3（条件：VDS=48V、Pw=1ms/10ms）和更低导通电阻（RDS(on)）*4，由此既可确保热插拔（电源启动）工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。 为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。 RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ，而RY7P250BM的导通电阻则降低了约18%——仅有1.86mΩ（条件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。 与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。 新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格800日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。 未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。 产品介绍资料（2.1MB） ＜开发背景＞ 随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。 ＜产品主要特性＞ 产品型号 数据表 极性 VDSS[V] ID[A] RDS(on)Max.[mΩ]（VGS=10V） Ciss[pF] Qg[nC]（VGS=10V） SOA的漏极电流容许值（VDS=48V）[A] 封装名（尺寸[mm]） Pw=10ms Pw=1ms RY7P250BM Nch 100 250 1.86 11300 170 16 50 DFN8080-8S（8.0×8.0×1.0） ＜应用示例＞ ・AI（人工智能）服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路・工业设备48V系统电源（叉车、电动工具、机器人、风扇电机等）・AGV（自动导引车）等电池驱动的工业设备・UPS、应急电源系统（电池备份单元） ＜电商销售信息＞ 发售时间：2025年5月起新产品在其他电商平台也将逐步发售。产品型号：RY7P250BM ＜关于EcoMOS™品牌＞ EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。 ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 ＜术语解说＞ *1）功率MOSFET 适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。 *2）热插拔电路 可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。 *3）SOA（Safe Operating Area）范围 元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。 *4）导通电阻（RDS(on)） MOSFET工作（导通）时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗（功率损耗）越少。 *5）浪涌电流（Inrush Current） 在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。 ＜产品视频＞

TDK 推出全新 SmartMotion® ICM-536xx 系列高性能六轴惯性测量单元（IMU）—— 这款专为优化拍摄体验设计的元件已启动量产，目前正通过直销渠道向特定客户开放供货。它的到来，将进一步推动光学防抖（OIS）功能在智能手机、平板电脑、相机等消费类设备中的普及，帮更多人摆脱手抖、运动干扰带来的模糊画面，轻松拍出清晰稳定的图像与视频。 15 年技术积累：InvenSense 为新系列产品保驾护航 作为 TDK 集团旗下的重要成员，InvenSense 公司在智能手机和相机原始设备制造商（OEM）高端 OIS/EIS（电子防抖）定制传感器解决方案领域，已拥有 15 年的开发经验，凭借深厚的技术积累与丰富的行业实践，为此次新系列产品的推出奠定了坚实基础。而全新 ICM-536xx 系列产品，有望将高端 OIS/EIS 功能拓展到更多移动设备中，打破此前技术应用的局限。 OIS 技术：解决日常拍摄模糊的关键 在日常拍摄中，手抖或设备运动常常会导致画面模糊，尤其在弱光环境、变焦拍摄及长曝光场景下，这种问题更为明显。OIS 技术的核心价值，就在于能有效补偿这些干扰，确保拍摄出的照片更清晰、视频更平稳。随着消费者对移动影像质量的需求不断提升，OIS 已逐渐成为中高端智能手机的标配功能。 性能优化：高 ODR 与高分辨率提升拍摄质量 此次 TDK 推出的 ICM-536xx 系列产品，在性能上实现了进一步优化。该系列支持高达 6.4 kHz 的输出数据速率（ODR），并提供高达 20 位的数据分辨率，这不仅能有效提升照片拍摄质量，还能帮助设备制造商将高级 OIS 功能集成到更广泛的设备类型中，从而满足创客群体及普通用户日益多元化的使用需求。 突破行业痛点：让 OIS 技术走向更多设备 “长期以来，OIS 功能受限于传感器技术的成本、尺寸以及功耗，更多地被应用在高端机型上。”TDK 集团 InvenSense 公司消费与工业运动传感事业部副总裁兼总经理 Pankaj Aggarwal 表示，“而 TDK 全新的 ICM-536xx 系列产品，成功解决了这些关键挑战，为市场提供了封装更纤薄、功耗更低且性能可靠的主流解决方案。” 多重实用特点：兼顾灵活部署与安全保护 除了核心性能优势，ICM-536xx 系列还具备多项实用特点：支持 UI 与 OIS 双通道接口，拥有 ±32 g / ±4000 dps 的宽量程范围（FSR），兼容带 1.2 V VDDIO 的 I3C/I2C/SPI 串行接口；超薄的封装设计便于在不同设备中灵活部署，同时支持 FSYNC 图像帧同步输入，片上自由落体检测功能还能作为 OIS 执行器的保护机制，进一步提升设备使用的安全性与稳定性。

1 高速吹风机变频方案介绍 高速吹风机，特别是转速突破10万转的产品，已成为消费电子和个护领域的新标杆。相比于传统电吹风，高速吹风机的风量更大，能减少对头发的伤害，噪音更低，使用体验也更好。针对高速吹风机市场，英飞凌推出16万转及以上无感FOC的高速吹风机解决方案。该方案采用PSOC&trade; Control C3，搭配英飞凌的CoolGaN&trade; Half-Bridge IPS,能够实高达100KHz的载频控制,支持快速启停，400毫秒内可达最大转速。 方案特性如下： PWM载波频率和控制频率高达100Khz 无传感器FOC算法执行时间<8us 支持动态PWM载频变换功能（5Khz至100Khz） 兼容7/5段SVPWM，减少PWM开关损耗 支持半周期PWM更新模式，提高位置估算精度和电流环相应时间 电机参数在线识别，控制参数自适应 极强的系统方案鲁棒性，电机参数&plusmn;80% 误差仍能保持正常工作 支持速度控制、恒功率控制以恒转矩控制 支持顺风启动，无抖动静止闭环启动，可靠性100% 伪差分 ADC 采样，无需外部运放和比较器，PCB走线更简洁，噪音抑制能力更强 兼容Single/leg/3 电阻电流采样模式 支持完整的电机控制保护和 IEC60730 安全功能 电机控制解决方案已通过量产验证 2 PSOC Control C3 产品介绍 PSOC Control C3是英飞凌专门为电机控制和数字电源而设计的MCU，集成了专门针对电机应用优化的外设，支持电机常见的各种控制方式，它具有适合无感FOC控制的相关外设和亮点： 1 高性能可编程模拟子系统 高性能可编程模拟子系统 12 位12Msps SAR ADC，支持 16 个模拟通道进行并行空闲采样 每个通道都配备独立采样保持器 每个通道可独立配置增益（1、3、6、12） 所有通道都支持同步采样模式 16 个模拟通道可分配给 8 个独立的组，每组支持8路触发源 支持伪差分采样模式 每个通道集成限幅检测功能（助力过流/过压保护，减少CPU干预） 支持 ADC DMA 和 FIFO 模式，减少 CPU 干预 ADC 模拟输出可直接接入CSG 比较器进行保护 10 位 DAC 为比较器的输入提供参考电压 提供多路触发源输出（用于关键外设同步触发） 单电阻伪差分ADC采样结构图 2 灵活的TCPWM 面向不同PWM应用的灵活计数模式以及灵活的输入输出触发信号。 TCPWM用于单电阻采样 3 个TCPWM 计数器用于产生 3 对互补 PWM 信号。1个 TCPWM 计数器用作 ADC 触发信号。电机运行时，所有 4 个 TCPWM 计数器同步。 溢出事件触发 FOC 中断，并在前半个 PWM 周期内执行。 所有 GPIO 均可用作 PWM 输出引脚，从而使 PCB 布局更加简便 从 AD 采样到下一次 PWM 比较更新的时间间隔仅为约半个 PWM 周期，从而显著提升电流环 带宽和观测器性能 3 基于PSOC Control C3控制器的高速吹风机变频方案介绍 1 Demo硬件 基于PSOC Control C3 的高速吹风机Demo可以使用KIT_PSC3M5_CC2的MCU控制卡搭配高压GaN驱动板的灵活方案。 基于PSOC Control C3 MCU控制卡和高压GaN驱动板的Demo 2 系统框图 高速吹风机系统框图 ADC 支持伪差分输入采样模式 ADC 通道支持同步采样模式 内部 CSG 比较器的正相输入信号来自 ADC 引脚，反相参考信号来自 DAC 反电势相电压仅用于高反电势电压电机 3 无感FOC控制 支持3 种控制模式：转矩、功率和速度控制，具有顺风、逆风和静态直接闭环启动、死区补偿等功能。 无感FOC控制框图 4 FOC执行时间 得益于以下特性，PSOC Control C3高速吹风机的无传感器FOC算法执行时间<8us： 主频180MHz 单精度浮点运算单元(FPU)和DSP 16KB的I-Cache 基于 Arm&reg; v8-M 架构的 Arm&reg; 3 级流水线 (3PIP) 通过 I-Cache 的 AHB (C-AHB) 总线，无任何时间延迟 无传感器FOC算法执行时间 5 高速吹风机控制性能展示 吹风机加减速测试波形 50K rpm ---> 120Krpm ---> 50Krpm 吹风机稳定运行测试波形 12万转稳定运行时的相电流波形 直接闭环启动的波形 可以看出直接闭环启动非常的平稳，没有抖动，335ms到满速。 4 结语 16万转的高速吹风机的整体解决方案，采用基于32位ARM Cortex-M33内核，180MHz主频的PSOC Control C3，搭配英飞凌的CoolGaN&trade; Half-Bridge IPS，可实现100KHz开关频率单电阻FOC控制，支持快速加减速，具有损耗低、运行稳定、BOM成本低等特点。对方案感兴趣的朋友可以联系我们获取完整方案的硬件和软件资料。