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TP44100SG
零件编号：
TP44100SG
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Tagore Technology
描述：
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
None
货币：
USD
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价格
3000
3.3
9900
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • FET Type
    N-Channel
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss)
    650 V
  • Technology
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    118mOhm @ 500mA, 6V
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    2.5V @ 11mA
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    110 pF @ 400 V
  • 包装/箱
    22-PowerVFQFN
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    0V, 6V
  • 供应商设备包
    22-QFN (5x7)
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    3 nC @ 6 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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