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IMZA65R007M2HXKSA1
零件编号：
IMZA65R007M2HXKSA1
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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价格
1
41.97
41.97
10
39.16
391.6
30
37.51
1125.3
120
34
4080
270
32.82
8861.4
规格
  • 包装/箱
    TO-247-4
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Technology
    MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Type
    N-Channel
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    210A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.1mOhm @ 146.3A, 20V
  • Power Dissipation (Max)
    625W (Tc)
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    5.6V @ 29.7mA
  • 供应商设备包
    PG-TO247-4-U02
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    15V, 20V
  • Vgs（最大）
    +23V, -7V
  • 漏源电压 (Vdss)
    650 V
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    179 nC @ 18 V
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    6359 pF @ 400 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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