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GT110N06S
零件编号：
GT110N06S
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
None
货币：
USD
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4000
0.28
1120
8000
0.26
2080
12000
0.24
2880
28000
0.24
6720
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 包装/箱
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供应商设备包
    8-SOP
  • FET Type
    N-Channel
  • Technology
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (Vdss)
    60 V
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    4.5V, 10V
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    1300 pF @ 25 V
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    2.4V @ 250µA
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Power Dissipation (Max)
    3W (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 14A, 10V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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