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GP2T080A120H
零件编号：
GP2T080A120H
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
SemiQ
描述：
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 1613
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数量
单价
价格
1
11.2
11.2
30
8.94
268.2
120
8
960
510
7.06
3600.6
1020
6.35
6477
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • FET Type
    N-Channel
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss)
    1200 V
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    20V
  • 供应商设备包
    TO-247-4
  • 包装/箱
    TO-247-4
  • Technology
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs（最大）
    +25V, -10V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    4V @ 10mA
  • Power Dissipation (Max)
    188W (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 20A, 20V
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    1377 pF @ 1000 V
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    61 nC @ 20 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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