收藏 比较
GP2T040A120U
零件编号:
GP2T040A120U
产品分类:
制造商:
描述:
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
PDF:
立即购买 添加到购物车
库存 1661
最小 : 0
数量
单价
价格
1
20.04
20.04
30
16.23
486.9
120
15.27
1832.4
510
13.84
7058.4
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • FET Type
    N-Channel
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • 供应商设备包
    TO-247-3
  • 漏源电压 (Vdss)
    1200 V
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
    20V
  • Technology
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs(最大)
    +25V, -10V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    63A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs(th)(最大值)@Id
    4V @ 10mA
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs
    118 nC @ 20 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds
    3192 pF @ 1000 V
  • Power Dissipation (Max)
    322W (Tc)