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GP2T040A120H
零件编号:
GP2T040A120H
产品分类:
制造商:
描述:
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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数量
单价
价格
1
20.47
20.47
30
16.57
497.1
120
15.59
1870.8
510
14.13
7206.3
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • FET Type
    N-Channel
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss)
    1200 V
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
    20V
  • 供应商设备包
    TO-247-4
  • 包装/箱
    TO-247-4
  • Technology
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs(最大)
    +25V, -10V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    63A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs(th)(最大值)@Id
    4V @ 10mA
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs
    118 nC @ 20 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds
    3192 pF @ 1000 V
  • Power Dissipation (Max)
    322W (Tc)