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BSB056N10NN3GXUMA2
零件编号：
BSB056N10NN3GXUMA2
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
TRENCH >=100V
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 1600
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单价
价格
5000
1.81
9050
规格
  • 包装/箱
    DirectFET™ Isometric MN
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Technology
    MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Type
    N-Channel
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta), 83A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.6mOhm @ 30A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    3.5V @ 100µA
  • 供应商设备包
    MG-WDSON-5-3
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    6V, 10V
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 漏源电压 (Vdss)
    100 V
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    74 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    5500 pF @ 50 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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