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2301H
零件编号：
2301H
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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150000
0.03
4500
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • Technology
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    4.5V, 10V
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • FET Type
    P-Channel
  • 包装/箱
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供应商设备包
    SOT-23-3
  • 漏源电压 (Vdss)
    30 V
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    2.4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    12 nC @ 2.5 V
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    405 pF @ 10 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75mOhm @ 3A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    890mW (Tc)
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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