TP65H070G4QS-TR
부품 번호:
TP65H070G4QS-TR
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Transphorm
설명:
650 V 29 A GAN FET
패키징:
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Vgs(최대) ±20V
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 10V
- 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 드레인-소스 전압(Vdss) 650 V
- Technology GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs(일)(최대) @ Id 4.8V @ 700µA
- 패키지/케이스 8-PowerSFN
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
- 공급자 장치 패키지 TOLL
- Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 600 pF @ 400 V
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 8.4 nC @ 10 V