TK042N65Z5,S1F(S
부품 번호:
TK042N65Z5,S1F(S
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명:
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
규격
- 장착 유형 Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 10V
- Vgs(최대) ±30V
- 드레인-소스 전압(Vdss) 650 V
- 패키지/케이스 TO-247-3
- 작동 온도 150°C
- 공급자 장치 패키지 TO-247
- Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 105 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 27.5A, 10V
- Vgs(일)(최대) @ Id 4.5V @ 2.85mA
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 6280 pF @ 300 V