S2M0120120J
부품 번호:
S2M0120120J
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
SMC Diode Solutions
설명:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 드레인-소스 전압(Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 13.3A, 20V
- Vgs(일)(최대) @ Id 4V @ 3.3mA
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 29.6 nC @ 20 V
- Vgs(최대) +20V, -5V
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 652 pF @ 1000 V
- 공급자 장치 패키지 TO-263-7
- 패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Power Dissipation (Max) 153W (Tc)