RN1709JE(TE85L,F)
부품 번호:
RN1709JE(TE85L,F)
제품 분류:
양극성 트랜지스터 어레이, 사전 바이어스됨
제조사:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명:
NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2
패키징:
-
ROHS 상태：
아니요
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- Frequency - Transition 250MHz
- Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Power - Max 100mW
- Resistor - Base (R1) 47kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
- 패키지/케이스 SOT-553
- 공급자 장치 패키지 ESV
- 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)