NXH003P120M3F2PTNG
부품 번호:
NXH003P120M3F2PTNG
제품 분류:
FET, MOSFET 어레이
제조사:
Sanyo Semiconductor/onsemi
설명:
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
패키징:
Tray
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Chassis Mount
- 패키지/케이스 Module
- 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- 구성 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(일)(최대) @ Id 4.4V @ 160mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20889pF @ 800V
- 공급자 장치 패키지 36-PIM (56.7x62.8)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 435A (Tj)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1200nC @ 20V
- Power - Max 1.48kW (Tj)