IXFN55N120SK
부품 번호:
IXFN55N120SK
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Littelfuse / IXYS RF
설명:
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Chassis Mount
- 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
- FET Type N-Channel
- 패키지/케이스 SOT-227-4, miniBLOC
- 공급자 장치 패키지 SOT-227B
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 드레인-소스 전압(Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Tc)
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 15V
- Vgs(최대) +15V, -4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 40A, 15V
- Vgs(일)(최대) @ Id 3.6V @ 12mA
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 107 nC @ 15 V
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 3360 pF @ 1000 V