IPP083N10N5XKSA1
부품 번호:
IPP083N10N5XKSA1
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
IR (Infineon Technologies)
설명:
TRENCH >=100V
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 6V, 10V
- Vgs(최대) ±20V
- 드레인-소스 전압(Vdss) 100 V
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 37 nC @ 10 V
- 패키지/케이스 TO-220-3
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3-1
- Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
- Vgs(일)(최대) @ Id 3.8V @ 49µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 2730 pF @ 50 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 73A, 10V