IPP029N06NXKSA1
부품 번호:
IPP029N06NXKSA1
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
IR (Infineon Technologies)
설명:
TRENCH 40<-<100V
패키징:
Tube
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 6V, 10V
- 드레인-소스 전압(Vdss) 60 V
- Vgs(최대) ±20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- 패키지/케이스 TO-220-3
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3-1
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 66 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 136W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(일)(최대) @ Id 3.3V @ 75µA
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 5125 pF @ 30 V