IMBG65R007M2HXTMA1
부품 번호:
IMBG65R007M2HXTMA1
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
IR (Infineon Technologies)
설명:
SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
패키징:
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- FET Type N-Channel
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 드레인-소스 전압(Vdss) 650 V
- Technology SiCFET (Silicon Carbide)
- 패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 15V, 20V
- 공급자 장치 패키지 PG-TO263-7-12
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 238A (Tc)
- Vgs(최대) +23V, -7V
- Power Dissipation (Max) 789W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
- Vgs(일)(최대) @ Id 5.6V @ 2.97mA
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 179 nC @ 18 V
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 6359 pF @ 400 V