HT8KC6TB1
부품 번호:
HT8KC6TB1
제품 분류:
FET, MOSFET 어레이
제조사:
ROHM Semiconductor
설명:
60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
패키징:
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
아니요
통화:
USD
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- 작동 온도 150°C (TJ)
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 패키지/케이스 8-PowerVDFN
- Vgs(일)(최대) @ Id 2.5V @ 1mA
- 구성 2 N-Channel
- Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
- 공급자 장치 패키지 8-HSMT (3.2x3)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta), 15A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 30V
- Power - Max 2W (Ta), 14W (Tc)