HP8KB6TB1
부품 번호:
HP8KB6TB1
제품 분류:
FET, MOSFET 어레이
제조사:
ROHM Semiconductor
설명:
40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
패키징:
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
아니요
통화:
USD
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- 작동 온도 150°C (TJ)
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 패키지/케이스 8-PowerTDFN
- Vgs(일)(최대) @ Id 2.5V @ 1mA
- Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
- 구성 2 N-Channel
- 공급자 장치 패키지 8-HSOP
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 20V
- Power - Max 3W (Ta), 21W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Ta), 24A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.7mOhm @ 10.5A, 10V