Transistors bipolaires simples (20308)

Les transistors bipolaires à jonction discrets (BJT) sont couramment utilisés pour réaliser des fonctions d’amplification de signaux analogiques dans les applications audio, radio et autres. Parmi les premiers dispositifs à semi-conducteurs produits en masse, leurs caractéristiques sont moins avantageuses que celles d’autres types de composants pour les applications impliquant des commutations à haute fréquence ou un fonctionnement sous de fortes intensités de courant ou de hautes tensions ; toutefois, ils demeurent une technologie privilégiée pour les applications nécessitant la reproduction de signaux analogiques avec un bruit et une distorsion ajoutés minimaux. Les BJT se déclinent en deux variantes — NPN et PNP —, qui correspondent à l’ordre des couches de semi-conducteur constituant le transistor. Les transistors NPN comportent une fine couche de semi-conducteur de type P située entre deux matériaux de type N, tandis que les transistors PNP intègrent une couche de semi-conducteur de type N prise en sandwich entre deux couches de type P. Cela confère aux deux types un mode de fonctionnement de polarité opposée : les transistors NPN absorbent le courant, tandis que les transistors PNP le fournissent.