TP65H050G4QS-TR
Numéro de pièce :
TP65H050G4QS-TR
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Transphorm
Description :
650 V 34 A GAN FET
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Vgs (Max) ±20V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
- Tension drain-source (Vdss) 650 V
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
- Technology GaNFET (Gallium Nitride)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(e) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V
- Power Dissipation (Max) 119W (Tc)
- Colis/Caisse 8-PowerSFN
- Package d'appareil du fournisseur TOLL