SICW040N120Y4-BP
Numéro de pièce :
SICW040N120Y4-BP
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Micro Commercial Components (MCC)
Description :
SCHOTTKY DIODES
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
- Package d'appareil du fournisseur TO-247-4
- Colis/Caisse TO-247-4
- Vgs (Max) +25V, -10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 20 V
- Vgs(e) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2225 pF @ 1000 V
- Power Dissipation (Max) 390W