SICW028N120A4-BP
Numéro de pièce :
SICW028N120A4-BP
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Micro Commercial Components (MCC)
Description :
SCHOTTKY DIODES
Emballage :
-
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Package d'appareil du fournisseur TO-247-4
- Colis/Caisse TO-247-4
- Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 16V, 20V
- Vgs (Max) +22V, -5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 40A, 20V
- Vgs(e) (Max) @ Id 3V @ 15mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 168 nC @ 18 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3570 pF @ 1000 V