S2M0160120D
Numéro de pièce :
S2M0160120D
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
SMC Diode Solutions
Description :
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(e) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
- Colis/Caisse TO-247-3
- Package d'appareil du fournisseur TO-247AD
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
- Vgs (Max) +20V, -5V
- Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 26.5 nC @ 20 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 513 pF @ 1000 V