S2M0120120J
Numéro de pièce :
S2M0120120J
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
SMC Diode Solutions
Description :
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 13.3A, 20V
- Vgs(e) (Max) @ Id 4V @ 3.3mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29.6 nC @ 20 V
- Vgs (Max) +20V, -5V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 652 pF @ 1000 V
- Package d'appareil du fournisseur TO-263-7
- Colis/Caisse TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Power Dissipation (Max) 153W (Tc)