S2M0080120N
Numéro de pièce :
S2M0080120N
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
SMC Diode Solutions
Description :
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Chassis Mount
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Colis/Caisse SOT-227-4, miniBLOC
- Package d'appareil du fournisseur SOT-227
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
- Vgs (Max) +20V, -5V
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
- Vgs(e) (Max) @ Id 4V @ 10mA
- Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1324 pF @ 1000 V