RN1911FE,LF(CT
Numéro de pièce :
RN1911FE,LF(CT
Catégorie de produit :
Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés
Fabricant :
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Description :
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Non
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
- Frequency - Transition 250MHz
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Power - Max 100mW
- Colis/Caisse SOT-563, SOT-666
- Package d'appareil du fournisseur ES6
- Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Resistor - Base (R1) 10kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V