RN1710JE(TE85L,F)
Numéro de pièce :
RN1710JE(TE85L,F)
Catégorie de produit :
Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés
Fabricant :
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Description :
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Non
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
- Frequency - Transition 250MHz
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Power - Max 100mW
- Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
- Colis/Caisse SOT-553
- Package d'appareil du fournisseur ESV
- Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)