RN1708JE(TE85L,F)
Numéro de pièce :
RN1708JE(TE85L,F)
Catégorie de produit :
Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés
Fabricant :
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Description :
NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Non
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- Frequency - Transition 250MHz
- Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
- Power - Max 100mW
- Resistor - Base (R1) 22kOhms
- Colis/Caisse SOT-553
- Package d'appareil du fournisseur ESV
- Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)