NXH003P120M3F2PTNG
Numéro de pièce :
NXH003P120M3F2PTNG
Catégorie de produit :
Matrices FET, MOSFET
Fabricant :
Sanyo Semiconductor/onsemi
Description :
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Chassis Mount
- Colis/Caisse Module
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(e) (Max) @ Id 4.4V @ 160mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20889pF @ 800V
- Package d'appareil du fournisseur 36-PIM (56.7x62.8)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 435A (Tj)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1200nC @ 20V
- Power - Max 1.48kW (Tj)