NVMYS021N10MCLTWG

NVMYS021N10MCLTWG

Numéro de pièce : NVMYS021N10MCLTWG
Catégorie de produit : FET simples, MOSFET
Fabricant : Sanyo Semiconductor/onsemi
Description : PTNG 100V LL LFPAK4
Emballage : Tape & Reel (TR)
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Type de montage Surface Mount
  • Grade Automotive
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Tension drain-source (Vdss) 100 V
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Qualification AEC-Q101
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
  • Colis/Caisse SOT-1023, 4-LFPAK
  • Package d'appareil du fournisseur LFPAK4 (5x6)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Ta), 31A (Tc)
  • Vgs(e) (Max) @ Id 3V @ 42µA
  • Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 49W (Tc)