NVH4L025N065SC1
Numéro de pièce :
NVH4L025N065SC1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Sanyo Semiconductor/onsemi
Description :
SIC MOS TO247-4L 650V
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Grade Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Qualification AEC-Q101
- Tension drain-source (Vdss) 650 V
- Colis/Caisse TO-247-4
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
- Vgs (Max) +22V, -8V
- Package d'appareil du fournisseur TO-247-4L
- Power Dissipation (Max) 348W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 99A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 45A, 18V
- Vgs(e) (Max) @ Id 4.3V @ 15.5mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 18 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3480 pF @ 325 V