NTMFS5H663NLT1G
Numéro de pièce :
NTMFS5H663NLT1G
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Sanyo Semiconductor/onsemi
Description :
T8 60V LOW COSS
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Tension drain-source (Vdss) 60 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package d'appareil du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Colis/Caisse 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(e) (Max) @ Id 2V @ 56µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1131 pF @ 30 V