IXFN55N120SK
Numéro de pièce :
IXFN55N120SK
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
Littelfuse / IXYS RF
Description :
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Chassis Mount
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- FET Type N-Channel
- Colis/Caisse SOT-227-4, miniBLOC
- Package d'appareil du fournisseur SOT-227B
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Tc)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V
- Vgs (Max) +15V, -4V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 40A, 15V
- Vgs(e) (Max) @ Id 3.6V @ 12mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 15 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3360 pF @ 1000 V