IRL40T209ATMA2
Numéro de pièce :
IRL40T209ATMA2
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
TRENCH <= 40V
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Tension drain-source (Vdss) 40 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(e) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
- Colis/Caisse 8-PowerSFN
- Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
- Package d'appareil du fournisseur PG-HSOF-8-1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.72mOhm @ 100A, 10V
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 269 nC @ 4.5 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 20 V