IPTC026N12NM6ATMA1
Numéro de pièce :
IPTC026N12NM6ATMA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
TRENCH >=100V
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) ±20V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
- Tension drain-source (Vdss) 120 V
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V
- Package d'appareil du fournisseur PG-HDSOP-16-2
- Colis/Caisse 16-PowerSOP Module
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 222A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 115A, 10V
- Vgs(e) (Max) @ Id 3.6V @ 169µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 60 V
- Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 278W (Tc)