IPP70N10S3L12AKSA2
Numéro de pièce :
IPP70N10S3L12AKSA2
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
MOSFET_(75V 120V(
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Grade Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Tension drain-source (Vdss) 100 V
- Colis/Caisse TO-220-3
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Qualification AEC-Q101
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
- Package d'appareil du fournisseur PG-TO220-3-1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Vgs(e) (Max) @ Id 2.4V @ 83µA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 70A, 10V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5570 pF @ 25 V