IPP076N15N5XKSA1
Numéro de pièce :
IPP076N15N5XKSA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
TRENCH >=100V
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) ±20V
- Colis/Caisse TO-220-3
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tension drain-source (Vdss) 150 V
- Package d'appareil du fournisseur PG-TO220-3-1
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
- Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 112A (Tc)
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 75 V
- Vgs(e) (Max) @ Id 4.6V @ 160µA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 56A, 10V