IPP020N08N5XKSA1

IPP020N08N5XKSA1

Numéro de pièce : IPP020N08N5XKSA1
Catégorie de produit : FET simples, MOSFET
Description : TRENCH 40<-<100V
Emballage : Tube
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents
  • Type de montage Through Hole
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Colis/Caisse TO-220-3
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tension drain-source (Vdss) 80 V
  • Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
  • Package d'appareil du fournisseur PG-TO220-3-1
  • Vgs(e) (Max) @ Id 3.8V @ 280µA
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 223 nC @ 10 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16900 pF @ 40 V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V

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