IPP020N06NXKSA1
Numéro de pièce :
IPP020N06NXKSA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
TRENCH 40<-<100V
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
- Tension drain-source (Vdss) 60 V
- Vgs (Max) ±20V
- Colis/Caisse TO-220-3
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package d'appareil du fournisseur PG-TO220-3-1
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 214W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(e) (Max) @ Id 3.3V @ 143µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9750 pF @ 30 V