IMZA75R040M1HXKSA1
Numéro de pièce :
IMZA75R040M1HXKSA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
SILICON CARBIDE MOSFET
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Colis/Caisse TO-247-4
- Package d'appareil du fournisseur PG-TO247-4
- Tension drain-source (Vdss) 750 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V
- Vgs (Max) +23V, -5V
- Power Dissipation (Max) 185W (Tc)
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 18 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 16.6A, 20V
- Vgs(e) (Max) @ Id 5.6V @ 6mA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1135 pF @ 500 V