IMW65R015M2HXKSA1
Numéro de pièce :
IMW65R015M2HXKSA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
SILICON CARBIDE MOSFET
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Through Hole
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tension drain-source (Vdss) 650 V
- Colis/Caisse TO-247-3
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc)
- Power Dissipation (Max) 341W (Tc)
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V
- Vgs (Max) +23V, -7V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
- Vgs(e) (Max) @ Id 5.6V @ 13mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 18 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2792 pF @ 400 V
- Package d'appareil du fournisseur PG-TO247-3-40