IMDQ75R016M1HXUMA1
Numéro de pièce :
IMDQ75R016M1HXUMA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
SILICON CARBIDE MOSFET
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Tension drain-source (Vdss) 750 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V
- Vgs(e) (Max) @ Id 5.6V @ 14.9mA
- Vgs (Max) +23V, -5V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2869 pF @ 500 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A (Tc)
- Package d'appareil du fournisseur PG-HDSOP-22-1
- Colis/Caisse 22-PowerBSOP Module
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 18 V
- Power Dissipation (Max) 384W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 41.5A, 20A