IMBG65R007M2HXTMA1
Numéro de pièce :
IMBG65R007M2HXTMA1
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tension drain-source (Vdss) 650 V
- Technology SiCFET (Silicon Carbide)
- Colis/Caisse TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V
- Package d'appareil du fournisseur PG-TO263-7-12
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 238A (Tc)
- Vgs (Max) +23V, -7V
- Power Dissipation (Max) 789W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
- Vgs(e) (Max) @ Id 5.6V @ 2.97mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 179 nC @ 18 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6359 pF @ 400 V