IAUCN08S7N013ATMA1

IAUCN08S7N013ATMA1

Numéro de pièce : IAUCN08S7N013ATMA1
Catégorie de produit : FET simples, MOSFET
Fabricant : IR (Infineon Technologies)
Description : MOSFET_(75V 120V(
Emballage : Tape & Reel (TR)
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Type de montage Surface Mount
  • Grade Automotive
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Max) ±20V
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Qualification AEC-Q101
  • Colis/Caisse 8-PowerTDFN
  • Tension drain-source (Vdss) 80 V
  • Power Dissipation (Max) 219W (Tc)
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V
  • Package d'appareil du fournisseur PG-TDSON-8-53
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 274A (Tj)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 88A, 10V
  • Vgs(e) (Max) @ Id 3.2V @ 130µA
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8402 pF @ 40 V