IAUCN04S6N017TATMA1

IAUCN04S6N017TATMA1

Numéro de pièce : IAUCN04S6N017TATMA1
Catégorie de produit : FET simples, MOSFET
Fabricant : IR (Infineon Technologies)
Description : MOSFET_(20V 40V)
Emballage : Tape & Reel (TR)
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
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Spécifications

  • Type de montage Surface Mount
  • Grade Automotive
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Tension drain-source (Vdss) 40 V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Qualification AEC-Q101
  • Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 25 V
  • Power Dissipation (Max) 103W (Tc)
  • Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
  • Package d'appareil du fournisseur PG-LHDSO-10-1
  • Colis/Caisse 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Ta), 120A (Tj)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.73mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs(e) (Max) @ Id 3V @ 40µA