G220P03D32
Numéro de pièce :
G220P03D32
Catégorie de produit :
Matrices FET, MOSFET
Fabricant :
Goford Semiconductor
Description :
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Colis/Caisse 8-PowerVDFN
- Vgs(e) (Max) @ Id 2V @ 250µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- Configuration 2 P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 3A, 10V
- Package d'appareil du fournisseur 8-DFN (3.15x3.05) Dual
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1305pF @ 15V
- Power - Max 30W (Tc)