G120N03D32
Numéro de pièce :
G120N03D32
Catégorie de produit :
Matrices FET, MOSFET
Fabricant :
Goford Semiconductor
Description :
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Colis/Caisse 8-PowerVDFN
- Vgs(e) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
- Configuration 2 N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
- Package d'appareil du fournisseur 8-DFN (3.15x3.05)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
- Power - Max 20W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1089pF @ 15V