FF3MR12KM1HPHPSA1
Numéro de pièce :
FF3MR12KM1HPHPSA1
Catégorie de produit :
Matrices FET, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
FF3MR12KM1HPHPSA1
Emballage :
-
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Chassis Mount
- Colis/Caisse Module
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Package d'appareil du fournisseur AG-62MMHB
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.44mOhm @ 280A, 18V
- Vgs(e) (Max) @ Id 5.1V @ 112mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 800nC @ 18V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24200pF @ 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220A